DUVEUV波長

2021年12月21日—DUV和EUV最大的区别在光源方案。EUV的光源波长为13.5nm，但最先进DUV的光源波只有193nm，较长的波长使DUV无法实现更高的分辨 ...,2019年1月25日—它的優點是波長的匹配：其波長13.5奈米和EUV常用的光學元件(通常是鉬和矽的多層結構)搭配的很好，反射率可以高達60%以上。它的缺點是副產物：受雷射照射後 ...,2021年10月6日—...DUV），波長可從365奈米縮減到193奈米；最新技術的極紫外光源（ExtremeUltraviolet；E...

參考資訊如下
DUV和EUV光刻机的区别在哪？-

2021年12月21日 — DUV和EUV最大的区别在光源方案。EUV的光源波长为13.5nm，但最先进DUV的光源波只有193nm，较长的波长使DUV无法实现更高的分辨 ...

新一代製程的關鍵：13.5奈米的「極端」紫外光

2019年1月25日 — 它的優點是波長的匹配：其波長13.5奈米和EUV常用的光學元件(通常是鉬和矽的多層結構)搭配的很好，反射率可以高達60%以上。它的缺點是副產物：受雷射照射後 ...

小辭典》什麼是DUV設備？

2021年10月6日 — ... DUV），波長可從365奈米縮減到193奈米；最新技術的極紫外光源（Extreme Ultraviolet；EUV），更將波長縮減至13.5奈米。 目前以DUV設備應用最廣、需求 ...

DUV和EUV光刻机的区别在哪？

(1) 光阻經DUV、VUV、EUV 及BEUV 光源照射之釋氣定性與 ...

(1) 當半導體微影製程光源從使用193 nm (DUV, Deep ultraviolet)波長縮短至13.5 nm (EUV, Extreme ultraviolet)波長時，光阻釋氣即被視為汙染EUV 光學元件的重要元兇之一。

全球瘋搶EUV 曝光機！究竟是摩爾定律的救命曙光

2023年3月10日 — 極紫外光（Extreme ultraviolet, EUV）是波長小於13.5 奈米的光，使用EUV 作為光源的曝光機，即為EUV 曝光機。由於造價昂貴、製程繁複、貨源稀少 ...

极紫外光刻

... 波长。EUV光刻制程选择第二中作法,将光源波长降低13.5纳米来提升电路图案分辨率，由于EUV波长太短,非常容易被大气吸收,因此此道制程需要在真空环境中完成。目前EUV光刻 ...

極紫外光微影製程

極紫外光微影（英語：extreme ultraviolet lithography，中國大陸稱為極紫外光刻，簡稱「EUV」或「EUVL」）又稱作超紫外線平版印刷術, 是一種使用極紫外光波長 ... DUV微影 ...

EUV, DUV, XUV 有什么区别？对应的波长分别是多少？

2021年12月11日 — EUV, DUV, XUV 有什么区别？对应的波长分别是多少？ · （1）它们的全称分别是 · （2）它们对应的波长大致的区间为 · （3）注意：波长不是分辨率！ · 推荐 ...